深圳市三經偉創實業發展有限公司研發生產的高速晶體管測試分選機，是國內首家無落料等待，機械，測試系統一體化，高效率、高精度的自動化專利產品。直線送料采用無振動皮帶傳送,速度可達1000PCS/MIN.測試.落料采用分割器圓盤結構,速度最高可達250PCS/MIN。經測試后不同參數的晶體管,落入事先設定的落料箱.該分選機機械高速運行穩定,故障率底。測試系統是本公司與日本某公司合作研發的新成果,測試功能完全.其測試精度、穩定性及兼容性高于目前市場上普遍使用的日本高級測試系統。該套設備每小時最高產能可達到15K,成為該行業最具性價比的產品。
機械工作原理測試產品范圍：to-92 to-126 to-220 to-251 to-252 to-3p 被測試元件通過振動盤振動送料,進入無振動直線送料系統,經入料夾傳送至分割器圓盤夾。在測試工位經過測試后,再由圓盤夾傳送至相應的落料口,氣缸開夾落料,被測試元件經落料管道進入指定的分料箱.測試不良的,進入廢料箱。
機器特點
一、 平送送料采用皮帶傳送,無振動,速度快,穩定。
二、 圓盤式夾料爪采用分割器傳動,精準、穩定,故障率極低。
三、 所有功能測試只需要兩道測試工位,耐高壓,測試結果精確。
四、 測試分類可選擇性高,共28個分料箱,可設置27個分類。
五、 經測試過的不同參數元件經過相應的落料管道進入分料箱,無落料等待時間,極高的提高了工作效率。
六、 本設備適用測試范圍:TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126、TO-220、TO-251、TO-252、TO-220、TO-3P等封裝類型的分立器件分選測試、兼容性強。
七、 測試系統除測試電壓,電流等基本參數外,還可測試熱阻,T/S值,IC測試電流最高達到20A。
八、 觸摸式平板電腦操作系統,無鍵盤,無鼠標.操作簡單,數據集中。
技術參數
機械尺寸:1068LX580WX1050H(mm)
機械重量:約150Kg
工作電壓:220V 50/60HZ
功率:約1KW
使用氣壓:4-5Kg/
BS-1000晶體管測試系統是按國際有關晶體管測試原理和實驗方法標準－－-GB4587、GB12300.GJB128A及行業標準SJ/T10415設計制造的,它采用先進的微機控制技術,在測試中能對測試條件自行設定,測試結果自動分檔,自動統計及自動加功率(加溫)測試。其測試擊穿電壓可達100V,IC測試電流達20A。系統還能測定BVceo、BVcbo的軟硬擊穿特性及HFE的線性度K,對HFE、Vces和BVceo等主要參數可用三個不同測試條件一次性完成測試。本系統還可測試晶體管重要的最大額定電流指標參數IC及△Vbe、Rth等功率性能參數。系統可測NON、PNP和達林頓晶體管,還可測可控硅(THYRISTOR)。場效應管(VDMOS)、二極管和穩壓管。本系統充分考慮了器件生產企業的要求,實現高穩定、高速度、高精度三大特點,一臺測試系統可以同時連接5臺機械手工作,是一臺功能強大的晶體管綜合測試系統。
工作原理
系統由微機控制程控電壓源、程控電壓源,取樣電路和切換電路組成。微機根據設定條件自動調整程控源,施加于被測晶體管.再由采樣電路采樣,經A/D轉換于微機顯示。
使用條件
溫度:10~30℃
相對濕度:20%~75%RH(30℃時)
大氣壓力:86~106Kpa
工作電源:220V±10%AC,50Hz±10%周圍無強電源干擾。
技術指標
1、程控電壓 / 電流源IⅡ，（PMU1，PMU2） 精度±0.1% a.電壓：±0~20.000V 16位D / A轉換、16位A / D采樣、量程自動切換 b.電流：±0~2.0000A 16位D / A轉換、16位A / D采樣、量程自動切換 2、程控電壓 / 電流源（DPS） 精度±0.5% a.電壓： 0~30.00V 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換 b.電流： 0~20.00A 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換 3、程控高壓源： （DDS） 精度±0.5%a.電壓：20~1000V 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換 b.電流：0~20.00mA 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換 測試參數 4.1、擊穿電壓測試(BVcbo,BVceo)： a.測試條件：IC(IR) < 20mA， b.測試范圍：0~1000V c.精 度：<±（1% + 1digit）4.2、 擊穿電壓測試(BVebo)： a.測試條件： Ib < 50mA b.測試范圍： 0~20V c.精 度：<±（0.1% + 1digit） 5、漏電流測試 a.測試條件：Vcb、Vce、Vr：0~1000V，Veb≤20V b.測試范圍：0.01uA~10mA c.精 度：<±（1%+1digit） 6、HFE測試 a.測試條件：IC≤20A，Vce=1~30V，Ib=1uA~2A b.測試范圍：≥3 c.精 度：<±（1%+1digit） 7、Vbe、VF測試 a.測試條件：Ie（IF）≤1.0000A b.測試范圍：0~20.000V c.精 度：<±（0.1%+2digit） 8、Vces、Vbes、Vbef、Vdf、VTM測試 a.測試條件：IC≤20A Ib≤1.0A Vce=1~30V b.測試范圍：0~30.000V c.精 度：<±（1%+1digit） 9、△Vbe、△Icbo、△HFE測試 a.加溫功率PT：1W~100W IC（Ie）≤5A Is≤0~100mA b.加功率時間： TP=0~1000ms Td=100~300us c.精 度：<±（1%+2igit）
