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半導體晶片基底厚度測量

應用的SCI專利測試技術,次實現了在高反饋速率下(16KHz),得到高精度的分析(50nm)。任何晶片基底厚度超過3um的,均可以用此設備研究。同時可以得到表面細微缺陷型貌圖。晶片大小尺寸從2“到12”均可手動放置分析測試,6“到12”有全自動在線分析系統,專業應用于半導體生產企業。升級型號還配置上下兩個光學探頭,可分別從晶片兩面原位分析,同時可以得到金屬層厚度和晶片總厚度。此系統在半導體檢測行業是一個革新性的設備。產品特性:1, 多種掃描模式,可以精細掃描到幾百萬個點。2, 可以配置CCD相機選定和觀測掃描區域3, 提供詳細的指標數據,包括:于晶片厚度,彎曲/平坦度,表面型貌,表面粗糙度檢測4, 可得到2維的彩色對比圖,反應整個晶片的厚度分布;3維的彩色型貌,反應整個晶片的表面分布5, ASCII和EXCEL數據輸出格式6, 非常方便驗證數據的性7, 具有內部聯網功能hspace=0

產品規格:1, 最小厚度層:3um2, 光斑大小:20um3, 最大檢測速率:4KHz, 16KHz(因型號而異)4, 性:0.2um5, 重復性:0.05um,0.1um(因型號而異)6, 相干光波長:1300nm

Solstice外延晶片在線光折射檢測儀

外延晶片在線光折射檢測儀

特 點 : 對 2”-200 mm 的晶片可以進行在線的光折射掃描,也可升級至 300mm 檢測直徑; 掃描范圍從 0.75 eV 到 2.2 eV, 3.6 eV 可選; 在室溫,禁帶寬度和偏移 (Band gap/band offset) 測量可精確到 2 meV ; 可進行表面 / 界面電場測量; 入射角可從 15° 到 75°, 特別適合于 VCSEL/RCLED 晶片; 的模型軟件: TDFF, FDFF, FKO 擬合;

外延晶片在線光折射檢測儀

優 點 : 快速非接觸式外延晶片表征; 直接測量晶片的帶寬,偏移和表面 / 界面電場; 應用于統計的過程控制,提高加工穩定性; 大幅節省由于晶片破壞性實驗和設備制造的費用; 提高晶片生產率;較少的校正可以提高利潤; 控制晶片的質量,以避免進入下一步工序造成的損失; VCSEL 和 RCLED 晶片上的非破壞性實驗; 應 用 : 室溫下高精度禁帶寬度測量; 外延晶片材料中關鍵部位的電場測量; 為 HBT 晶片質量和靜態過程控制提供技術; 無損檢測 VCSEL 和 RCLE 晶片產品質量; 可以適用多種晶片生產設備 (GaAs, InP, SiGe; GaN 可選 ) 適用于 HBT, pHEMT, LED, QWIP, 邊發射激光器材料;

M-DW1晶片位置傳感器

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LED行業晶片清洗腐蝕機

LED行業晶片清洗腐蝕機設備操作面帶有傾斜式推拉透明PVC門窗,由機架部分、箱體部分、電氣部分、槽體部分、管路部分、抽風六部分構成。槽體部分七個槽位構成,槽體材質采用具有高防腐性能的進口PVDF材料(德國聚偏二氟乙烯槽)以及德國自然色聚丙烯槽(NPP)材料制作;管路部分是由上水和下水部分構成,為了工作介質(酸、堿)的潔凈度和避免雜質析出,上水管材質為德國進口聚偏二氟乙烯(PVDF),氣動隔膜網為喬治•費歇爾,下水管件也為喬治•費歇爾,此外,槽體配有附件:噴淋系統、快排系統、美國進口氮槍、水槍各一支。另配照明裝置和不銹鋼地角和活動腳輪,操作簡便,經濟耐用。用于微電子半導體、LED、太陽能電池等行業,也適合于高;瘜W實驗室作實驗設備。

Solstice外延晶片在線光折射檢測儀

外延晶片在線光折射檢測儀

特 點 : 對 2”-200 mm 的晶片可以進行在線的光折射掃描,也可升級至 300mm 檢測直徑; 掃描范圍從 0.75 eV 到 2.2 eV, 3.6 eV 可選; 在室溫,禁帶寬度和偏移 (Band gap/band offset) 測量可精確到 2 meV ; 可進行表面 / 界面電場測量; 入射角可從 15° 到 75°, 特別適合于 VCSEL/RCLED 晶片; 的模型軟件: TDFF, FDFF, FKO 擬合;

外延晶片在線光折射檢測儀

優 點 : 快速非接觸式外延晶片表征; 直接測量晶片的帶寬,偏移和表面 / 界面電場; 應用于統計的過程控制,提高加工穩定性; 大幅節省由于晶片破壞性實驗和設備制造的費用; 提高晶片生產率;較少的校正可以提高利潤; 控制晶片的質量,以避免進入下一步工序造成的損失; VCSEL 和 RCLED 晶片上的非破壞性實驗; 應 用 : 室溫下高精度禁帶寬度測量; 外延晶片材料中關鍵部位的電場測量; 為 HBT 晶片質量和靜態過程控制提供技術; 無損檢測 VCSEL 和 RCLE 晶片產品質量; 可以適用多種晶片生產設備 (GaAs, InP, SiGe; GaN 可選 ) 適用于 HBT, pHEMT, LED, QWIP, 邊發射激光器材料;

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