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探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

美國(guó)派克Parker 壓力補(bǔ)償器 SPC0201101C5A
美國(guó)派克parker 壓力補(bǔ)償器 spc0201101c5a。優(yōu)勢(shì)價(jià)格全面供應(yīng)美國(guó)派克parker接頭、派克parker管、派克parker泵、派克parker閥、派克parker傳感器、派克parker過(guò)濾器、派克parker氣缸、派克parker控制器、派克parker電機(jī)、派克parker變頻器等產(chǎn)品。100%進(jìn)口原裝,可提供原裝證明!
更新時(shí)間:2025-05-15
美國(guó)派克Parker 驅(qū)動(dòng)器 SLVD5ND
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更新時(shí)間:2025-05-15
美國(guó)派克Parker 壓力補(bǔ)償器 SPC0611X10CB1
美國(guó)派克parker 壓力補(bǔ)償器 spc0611x10cb1。優(yōu)勢(shì)價(jià)格全面供應(yīng)美國(guó)派克parker接頭、派克parker管、派克parker泵、派克parker閥、派克parker傳感器、派克parker過(guò)濾器、派克parker氣缸、派克parker控制器、派克parker電機(jī)、派克parker變頻器等產(chǎn)品。100%進(jìn)口原裝,可提供原裝證明!
更新時(shí)間:2025-05-15
 超快亞太赫茲探測(cè)器 響應(yīng)時(shí)間1μs 光譜范圍50GHz-0.7THz
terasense的超快探測(cè)器ultrafast,通過(guò)直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的,200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器,其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究thz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-05-14
 中紅外MCT兩TE冷卻光電探測(cè)器 2-12μm
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-12μm;佳波長(zhǎng) 3μm;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm;光敏面 0.1×0.1mm^2;抗反射涂層窗口
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs放大型光電探測(cè)器 800-1700nm 5MHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長(zhǎng)800-1700nm (可擴(kuò)展到2600nm,5mhz) 峰值響應(yīng)0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測(cè)器 800~1700nm 350MHz
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 800~1700nm;帶寬 350mhz;響應(yīng)度 9@m=10 a/w;外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測(cè)器 800~1700nm 350MHz
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 800~1700nm;帶寬 350mhz;響應(yīng)度 9@m=10 a/w;外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 InGaAs單元探測(cè)器 光譜相應(yīng)800-1700nm 帶寬DC-100M
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 800~1700nm;帶寬 dc-100m;響應(yīng)度 0.95@1550nm;外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100-1700nm
波長(zhǎng): 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測(cè)器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時(shí)間:2025-05-14
 InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 800-1700nm 帶寬DC-100M
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 800~1700nm;帶寬 dc-100m;響應(yīng)度 0.95@1550nm;外形尺寸 80*80*30;接頭 fc/apc
更新時(shí)間:2025-05-14
 集成InGaAs光電平衡探測(cè)器 光纖耦合器800-1700nm
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 800~1700nm;帶寬 dc-100m;響應(yīng)度 0.95@1550nm;外形尺寸 80*80*30mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測(cè)器 200MHz
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個(gè)顯示器輸出(未校準(zhǔn)) 波長(zhǎng)范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時(shí)間:2025-05-14
 微弱光相干接收模塊 集成光電平衡探測(cè)器 1530nm-1565nm
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm;帶寬 dc-50m;外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊
工作波長(zhǎng) 1550nm;光敏面直徑 800um;電壓響應(yīng)度 5 mv/w; 象限間隔 50um;光敏材料 ingaas
更新時(shí)間:2025-05-14
 2mm 擴(kuò)展型大光敏面InGaAS光電探測(cè)器模塊 1000-2600nm
光譜響應(yīng)范圍 1000-2600nm;光敏面直徑 2mm;響應(yīng)度 75% @1550nm,100@@2000nm;ingaas銦鎵砷探測(cè)器模塊;工作帶寬 50mhz
更新時(shí)間:2025-05-14
 InGaAs光電平衡探測(cè)器 800-1700nm 響應(yīng)度0.95@1550nm
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 800~1700nm;帶寬 dc-350m;響應(yīng)度 0.95@1550nm;外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件 950-1650nm
器件類型 ingaas apd;工作波長(zhǎng) 950~1650nm;陣列規(guī)模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探測(cè)效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2025-05-14
 InGaAs平衡探測(cè)器 1510-1590nm 帶寬DC-100M
探測(cè)器類型 ingaas;光譜相應(yīng) 1510-1590nm;帶寬 dc-100m;響應(yīng)度 0.95@1550nm;外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
 2mm大光敏面InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 450-2700nm
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm,光敏面直徑 2mm,響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um,ingaas銦鎵砷探測(cè)器,封裝規(guī)格 to-5
更新時(shí)間:2025-05-14
 1064nm四象限Si光電探測(cè)器 光敏面直徑16mm 直流響應(yīng)度0.3A/W
光敏面直徑 16mm;直流響應(yīng)度 0.3a/w; 光敏材料 si; 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2025-05-14
 8mm 大光敏面硅Si硅光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
8mm光敏面直徑,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<25ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
 6mm 大光敏面硅Si光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
6mm光敏面,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
 法蘭式Si光電探測(cè)器 光敏面積4mm 響應(yīng)波段400-1100nm
4mm光敏面,法蘭式結(jié)構(gòu),響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
 法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 響應(yīng)波段400-1100nm
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu),響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns
更新時(shí)間:2025-05-14
 光纖耦合式Si光電探測(cè)器 光敏面直徑200um 響應(yīng)速度<2ns
200um光敏面直徑,單模光纖耦合,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns,fc/apc接頭
更新時(shí)間:2025-05-14
 2mm SI光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm 響應(yīng)速度<8ns
2mm直徑光敏面,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<8ns,to5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
 硅Si放大型光電探測(cè)器 320-1100nm DC-200kHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長(zhǎng)320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-05-14
 硅Si光電平衡探測(cè)器 400-1100nm 100MHz 響應(yīng)度0.55@850nm
工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100mhz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-05-14
 砷化銦InAs光伏探測(cè)器 峰值波長(zhǎng)3.35μm 光靈敏度1.0A/W
峰值波長(zhǎng)λp:3.35μm 截止波長(zhǎng)λc:3.65μm 光靈敏度:1.0a/w 峰值探測(cè)率d*:4.5 × 109(cm·hz1/2/w) nep:1.5 × 10-11(w/hz1/2) to-5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
 2-5.5μm 紅外兩TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-5.5μm;峰值波長(zhǎng) 2.9μm;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-05-14
 Ge鍺光電二管探測(cè)器 800-1800nm 響應(yīng)度0.95A/W
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 800-1800nm;響應(yīng)度 0.95 a/w;有效面積 10 mm x 10 mm;材料 ge
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷 InGaAs 光電探測(cè)器 帶寬>2GHz 有效面積直徑100um
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9a/w@1300nm; 帶寬:>2ghz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:bnc
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >10GHz 輸出連接SMA
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9a/w@2000nm; 帶寬:>10ghz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:sma 光纖連接,fc/upc
更新時(shí)間:2025-05-14
 EOT銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<16ps/<16ps; 響應(yīng)度:0.7a/w@1300nm; 帶寬:>22ghz; 有效面積直徑:20um; 輸出連接:sma 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz  輸出連接SMA
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<16ps/<16ps; 響應(yīng)度:0.7a/w@1300nm; 帶寬:>22ghz; 有效面積直徑:20um; 輸出連接:sma 光纖連接 不適用
更新時(shí)間:2025-05-14
 銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >15GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<25ps/<25ps; 響應(yīng)度:0.65a/w@1300nm; 帶寬:>15ghz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:sma 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
 中紅外量子聯(lián)超快光電探測(cè)器 20GHz 4.65μm
響應(yīng)超過(guò)20ghz的超快中紅外光電探測(cè)器 頻率響應(yīng)范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長(zhǎng)峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無(wú)需冷卻,無(wú)需偏置操作
更新時(shí)間:2025-05-14
 四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm 功率-30dBm
工作波長(zhǎng)范圍 1000-1650nm;電壓響應(yīng)度 2 mv/w;-3db帶寬 2mhz;飽和輸入光功率 -30dbm
更新時(shí)間:2025-05-14
光纖耦合型/插拔式擴(kuò)展型InGaAs探測(cè)器
光纖耦合型/插拔式擴(kuò)展型ingaas探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-14
900-1700nm 銦鎵砷InGaAs平衡探測(cè)器
koheron pd100b是一款增益為39kv/a、帶寬為100mhz、共模抑制比為35db的放大平衡探測(cè)器。pd100b有交流和直流耦合版本,可安裝ingaas光電二極管或不安裝光電二極管,是光學(xué)相干層析成像和激光探測(cè)等應(yīng)用的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-05-14
平衡探測(cè)器 1064 nm/1550nm
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑,用于控制信號(hào)的解調(diào)和誤差信號(hào)的生成,以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對(duì)相位。通過(guò)這種方式,能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間,具體根據(jù)客戶需求。
更新時(shí)間:2025-05-14
筆式可燃?xì)怏w探測(cè)器 JKBX169
筆式可燃?xì)怏w探測(cè)器 jkbx169本產(chǎn)品采用催化燃燒式氣敏元件,功耗低、靈敏度高,結(jié)合先進(jìn)電子技術(shù)及精良工藝制成。此氣體探測(cè)器具有電源指示、欠壓指示、故障指示、報(bào)警指示及聲音提示等功能。功耗低,靈敏度高。
更新時(shí)間:2025-05-14
氣體探測(cè)器,JKCP01
氣體探測(cè)器,jkcp01氣體探測(cè)器,jkcp01 jkcp01氣體探測(cè)器是我公司生產(chǎn)的新型氣體檢測(cè)儀器,該儀器采用優(yōu)質(zhì)氣體傳感器結(jié)合精良工藝制造而成,具有良好的重復(fù)性和抗?jié)駵囟雀蓴_性,以及使用壽命長(zhǎng)、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-14
激光波形探測(cè)器 激光波形檢測(cè)儀 激光波形探測(cè)儀
jc509-c141型激光波形探測(cè)器是針對(duì)脈沖激光波形測(cè)試而設(shè)計(jì)的。使用該探測(cè)器接收激光,結(jié)合高速示波器可以準(zhǔn)確測(cè)量激光脈沖的波形、脈沖寬度。再配合激光能量計(jì)測(cè)量激光的輸出能量可以獲得峰值功率等參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-05-14
點(diǎn)型可燃 有毒氣體探測(cè)器 氣體探測(cè)器
廣泛用于石油,化工行業(yè)等工業(yè)場(chǎng)所,是一種可顯示,紅外遙控操作,4-20ma輸出的可燃,有毒氣體隔爆型變送器
更新時(shí)間:2025-05-14
戶外高壓真空斷路器 高壓真空斷路器 斷路器
dt319-zw32-12戶外柱上高壓真空斷路器用于交流50hz、電壓10~12kv的三相電力系統(tǒng),作為分?jǐn)、關(guān)合負(fù)荷電流之用,dt319-zw32真空斷路器具有過(guò)載及短路保護(hù)功能,滿足控制、測(cè)量要求,還可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)方控制、監(jiān)視等。
更新時(shí)間:2025-05-14
COP點(diǎn)火系統(tǒng)快速探測(cè)器 COP點(diǎn)火系統(tǒng)測(cè)定儀 COP點(diǎn)火系統(tǒng)探測(cè)器
點(diǎn)火系統(tǒng)速探器是一款基于電池供能,手持式的探測(cè)器。它可以簡(jiǎn)單而快速的探測(cè)出cop式(點(diǎn)火線圈—火花塞一體式)點(diǎn)火系統(tǒng)中點(diǎn)火線圈和火花塞是否點(diǎn)火正常。
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器組 輻射探測(cè)器 數(shù)顯輻射探測(cè)儀
jc503-dl-805g型探測(cè)器組是一款智能型儀器組。儀器內(nèi)置一個(gè)高靈敏度的輻射探測(cè)器,采用了高速的微處理器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,led顯示清晰可見(jiàn),可設(shè)置上、下限報(bào)警閾值,采用聲光報(bào)警。
更新時(shí)間:2025-05-14
高溫物性測(cè)定儀 界面接觸角分析儀 影像式燒結(jié)點(diǎn)儀
高溫物性測(cè)定儀 界面接觸角分析儀 型號(hào):hg204-tgw 高溫物性測(cè)定儀適用于測(cè)量造型材料 、金屬、非金屬材料燒結(jié)點(diǎn)溫度、耐火度的一種高溫透射投影裝置。
更新時(shí)間:2025-05-14

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