探測器產品及廠家
原melles griot品牌氦氖激光器在業界久負盛名，全系列具備tem00模式輸出、緊湊體積和高度穩定性，尤為有特色的是穩頻氦氖激光器、綠光氦氖激光器以及高功率氦氖激光器。pacific lasertec公司2018年成立于美國，全面繼承melles griot的生產設備、技術和生產團隊及其逾40年氦氖激光器生產經驗，為全球客戶繼續提供高品質hene激光器。
更新時間:2025-05-14
vcsel垂直腔面發射激光器功率測試方案使用獨有的spectralon 、permaflect或spectraflect積分球對器件發光進行收集。該材料對紫外-可見-紅外范圍內的光都具有極高的光譜反射率，可分別滿足研發端和產線段對高低溫度測試和產線端設備免維護性的要求。此外，通過選擇不同尺寸的積分球，可以滿足從毫瓦到千瓦量級的激光功率測試。
更新時間:2025-05-14
moxtek公司生產的si-pin探測器基于公司超低噪聲的jfet電路及優異的鈹窗技術研制而成，主要應用于手持式或臺式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測器。 xpin-xt探測器主要技術指標有效探測面積：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um
更新時間:2025-05-14
moxtek公司成立于1986年，分為x射線部門和光學器件部門，是全球知名的高科技企業，為客戶提供創新的產品應用方案。moxtek生產的si-pin探測器基于公司超低噪聲的jfet電路及優異的鈹窗技術研制而成，主要應用于手持式或臺式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測器。
更新時間:2025-05-14
德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數率、高穩定性、兼容性強、操作簡便等優點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數率、高穩定性、兼容性強、操作簡便等優點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
集成了vitus系列的sdd探測器的分析系統，使用了脈沖復位機制的前置放大器，從而保證了探測器能夠在高計數率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測器的finger的長度，標準長度為100mm，另有多種長度可選高度集成化設計，外形緊湊，便于集成德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數率、高穩定性、兼容性強、操作簡便等優點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
集成了vitus系列的sdd探測器的分析系統，使用了脈沖復位機制的前置放大器，從而保證了探測器能夠在高計數率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測器的finger的長度，標準長度為100mm，另有多種長度可選高度集成化設計，外形緊湊，便于集成德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數率、高穩定性、兼容性強、操作簡便等優點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
elfys的高性能四象限探測器是建立在公司在黑硅技術上的專業性。開創性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率，使其實際上每個入射光子都能被探測到并轉換為可測量的信號。
更新時間:2025-05-14
目前市面上存在兩種紅外光譜儀：光柵分光紅外譜儀和傅立葉變換紅外譜儀（ft-ir）。針對這種應用，pyreos公司可以提供兩種探測器解決方案：1.線陣列型探測器+線性變化紅外濾光片；2.單點探測器+紅外濾光片
更新時間:2025-05-14
a5v-35uv是全球的探測器生產廠家osi公司生產的35通道紫外增強硅探測器, 非常適合應用于此類分光光度計. 先鋒科技股份有限公司作為osi在國內此領域的代理商，為國內客戶提供適用于生化分析儀的探測器。
更新時間:2025-05-14
紅外光譜是分子分析的重要手段，幾乎所有的分子都有其獨特的紅外“指紋”，傅里葉紅外光譜（ftir）已經成為工業紅外光譜分析的標準手段。目前ftir的探測器通常選用兩種，分別為dtgs和液氮制冷mct探測器。dtgs屬熱釋電探測器，響應速度快，噪聲影響小，能實現高速掃描；mct碲鎘汞屬光檢測器，靈敏度高。
更新時間:2025-05-14
terasense的超快探測器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應函數證實響應時間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發該探測器，其響應由高速示波器記錄。響應功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時間。測量的短響應時間使得我們的探測器可以直接研究thz科學和電信中的快速瞬態過程。
更新時間:2025-05-14
響應波長范圍 2-12μm；佳波長 3μm；相對響應強度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴展到2600nm,5mhz) 峰值響應0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2025-05-14
波長: 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測器響應度 0.95@1550nm aw
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時間:2025-05-14
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個顯示器輸出(未校準) 波長范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-05-14
工作波長 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時間:2025-05-14
光譜響應范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2025-05-14
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-05-14
光譜響應范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規格 to-5
更新時間:2025-05-14
光敏面直徑 16mm；直流響應度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時間:2025-05-14
8mm光敏面直徑，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜25ns，to8封裝
更新時間:2025-05-14
4mm光敏面，法蘭式結構，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，to8封裝
更新時間:2025-05-14
200um光敏面直徑,法蘭式結構，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns
更新時間:2025-05-14
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時間:2025-05-14
2mm直徑光敏面，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜8ns，to5封裝
更新時間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時間:2025-05-14
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測器型號: si硅 探測器響應度 0.55@850nm
更新時間:2025-05-14
峰值波長λp：3.35μm 截止波長λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時間:2025-05-14
響應波長范圍 2-5.5μm；峰值波長 2.9μm；相對響應強度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2025-05-14
響應波長范圍 800-1800nm；響應度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時間:2025-05-14
響應超過20ghz的超快中紅外光電探測器 頻率響應范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時間:2025-05-14
工作波長范圍 1000-1650nm；電壓響應度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時間:2025-05-14
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