化學氣相沉積設備產品及廠家
德國iplas微波等離子化學氣相沉積 iplas mpcvd 915mhz系統,德國 iplas公司的獨家利多天線耦合微波等離子技術（cyrannus®），可在反應腔中實現高的 sp3 鍵轉化率，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質量得到改善，這正是獲取優質金剛石的技術基礎。
更新時間:2025-06-17
德國netzsch 差示掃描量熱儀dsc 3500 sirius，該技術操作簡便，分析快速，在研發、制造和質量檢驗域中逐漸成為不可取代的檢測技術。針對具體材料、產品的應用和性能評估及解析，對應有各種各樣的標準（如astm，din，iso等）。
更新時間:2025-06-17
pe-cvd結構特點介紹：pecvd系列真空管式高溫燒結爐如圖所示,集控制系統與爐膛為一體；2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用進口高溫合金電阻絲為加熱元件；3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性；支持定制15611171559.
更新時間:2025-06-16
ccq氣動超高真空插板閥是通過電磁換向閥改變氣路方向，控制執行氣缸驅動閥板作上下運動，達到閥門的開啟或關閉。閥門用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質為純凈空氣和非腐蝕性氣體。帶反饋信號裝置。 適用范圍：105～1.3×10-7pa 閥門漏率：≤1.3×10-8pa.l/s.
更新時間:2025-06-14
gi-kf 手動高真空卡箍蝶閥用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：105~6.7x10-5pa 閥門漏率：≤1.3x10-5 pa.l/s.
更新時間:2025-06-14
giq氣動高真空蝶閥是通過電磁換向閥改變氣路方向，控制執行氣缸驅動蝶閥作啟閉運動。用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質為純凈空氣和非腐蝕性氣體？蛇x配反饋信號裝置及電氣閥門定位器。適用范圍：105～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-06-14
gid電動高真空法蘭蝶閥 是以電動裝置驅動閥桿與閥板執行啟閉動作。用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：105～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-06-14
epee系列 等離子化學氣相沉積系統單片和多片式架構，滿足量產和研發客戶需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新時間:2025-06-13
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統在節省空間的提下提供了pecvd的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用于參數控制和配方存儲。該系統是大規模生產用薄膜沉積的理想選擇，具有優異的重復性。
更新時間:2025-06-13
al-1通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數量。此外，可以在高寬比的孔內壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜。可同時沉積3片ø4英寸的晶片。
更新時間:2025-06-13
pd-220nl 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。
更新時間:2025-06-13
pd-3800l是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（pecvd）系統。該系統由于采用了大型反應室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產量較高。在直徑360mm的區域內可以沉積出具有優異的厚度均勻性和應力控制的薄膜，具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數控制和配方存儲。
更新時間:2025-06-13
pd-220n是用于沉積各種硅薄膜（sio2、si3n4等）的等離子體cvd系統。 pd-220n在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統系統小40%。 從尖端研究到半大規模生產，它的應用范圍很廣。
更新時間:2025-06-13
pd-200stl是一種用于研發的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統。samco獨特的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。pd-200stl具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-06-13
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統，可用于大規模生產。samco獨特的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統通過采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實現了高產量，可安裝三個ø4英寸的晶圓。
更新時間:2025-06-13
pd-330stc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統，可用于大規模生產。samco獨特的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優良工藝均勻性，實現了高產量。
更新時間:2025-06-13
pd-100st是一種用于研發的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強cvd系統。samco獨特的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。pd-100st具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-06-13
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場上高的晶圓產量 / m2市場上晶圓出色的運行過程性能高度均勻、低缺陷的 sic 外延工藝，可實現大的芯片良率
更新時間:2025-06-13
化合物半導體沉積系統“行星式反應器模塊，用于在150/200毫米襯底（si/藍寶石/sic）上應用氮化鎵，可提高生產率和晶圓性能”
更新時間:2025-06-13
化合物半導體沉積系統aix g5 ww c“下一代碳化硅電力電子器件的佳性能，以應對全球大趨勢”高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。
更新時間:2025-06-13
化合物半導體沉積系統aix 2800g4-tm （ic2）“基于 gaas/inp 的光電子學和射頻應用的 hvm 佳反應器”
更新時間:2025-06-13
mocvd系統主要由真空室反應系統、氣體（載氣與氣相有機源）輸運控制系統、有機源蒸發輸運控制系統、電源控制系統、尾氣處理及安全保護報警系統組成。
更新時間:2025-06-13
產品概述：系統主要由真空反應室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。設備用途：pecvd就是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要
更新時間:2025-06-13
系統主要由3個真空沉積室（分別沉積p、i、n結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。
更新時間:2025-06-13
系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。本系統具有pecvd功能和熱絲cvd功能。
更新時間:2025-06-13
用于 5g、光子學和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系統全自動單晶圓簇系統可在 300 毫米基板上生產 5g 射頻、光子學和高 cmos 器件。
更新時間:2025-06-13
提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案，led工業要求高產量，高器件質量和低購置成本。 plasmapro 1000更好地解決了這些需求。
更新時間:2025-06-13
plasmapro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。
更新時間:2025-06-13
plasmapro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 （pecvd） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開放式裝載系統？蓪崿F大型晶圓大規模的批量生產和 300mm 晶圓處理。具有460mm直徑的工作臺，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產解決方案。plasmapro 800是的市場列產品。
更新時間:2025-06-13
設計pecvd工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的提下，生產均勻性好且沉積速率高的薄膜。plasmapro 100 pecvd 由于電溫度均勻性和電
更新時間:2025-06-13
該icpcvd工藝模塊設計用于在低生長溫度下生產高質量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現，從而實現優秀的薄膜質量，同時減少基板損傷。
更新時間:2025-06-13
sentech sipar icp沉積系統是為使用靈活的系統架構的各種沉積模式和工藝開發和設計的。該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態溫控基板電和一個受控的真空系統。該系統將等離子體增強化學氣相沉積 （pecvd） 和原子層沉積 （ald） 結合在一個反應器中。
更新時間:2025-06-13
sentech depolab 200 是基本的等離子體增強化學氣相沉積 （pecvd） 系統，適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電設計的優點和靈活的直接加載設計。從 2 英寸至 200 毫米晶圓和樣品片的標準應用開始。
更新時間:2025-06-13
shale® c系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備（icp-cvd），通過電感耦合（icp）產生高密度等離子體，并通過電容耦合（ccp）產生偏壓，可實現低溫、高致密、低損傷、優填充能力的薄膜沉積工藝。該設備采用了8英寸產線設備所通用的國際標準零部件，符合semi的設計標準，并通過了嚴苛的穩定性和可靠性測試驗證。
更新時間:2025-06-13
shale® a系列等離子體增強化學氣相沉積設備（pecvd），通過平行電容板電場放電產生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設備采用了8英寸產線設備所通用的國際標準零部件，符合semi的設計標準，并通過了嚴苛的穩定性和可靠性測試驗證。
更新時間:2025-06-13
ad-230lp是一種原子層沉積（ald）系統，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應室，僅通過表面反應進行薄膜沉積。該系統具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應室，因此能夠實現薄膜沉積的優良再現性。
更新時間:2025-06-13
pd-200stl是一種用于研發的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統。samco的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。pd-200stl具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-06-13
pd-100st是一種用于研發的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強cvd系統。samco的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。pd-100st具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-06-13
pd-220nl 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標準功能？稍谥睆220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。
更新時間:2025-06-13
pd-3800l 化學氣相沉積系統是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（pecvd）系統。該系統由于采用了大型反應室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產量較高。在直徑360mm的區域內可以沉積出具有優異的厚度均勻性和應力控制的薄膜，具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數控制和配方存儲。
更新時間:2025-06-13
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統在節省空間的提下提供了pecvd的所有標準功能？稍谥睆220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。
更新時間:2025-06-13
本裝置是為了在汽車用head lamp部分提高al的附著性,用plasma,al sputter,cvd法實施sio2 top coating的設備,是縮短生產時間,工序和佳的matching設備.
更新時間:2025-06-13
gu型三片式高真空(壓力)球閥用于接通或切斷真空(壓力)系統管路中的介質流。應用于真空、乳制品、酒業、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領域。適用范圍：0.6×106～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-06-11
gu型三片式高真空(壓力)球閥用于接通或切斷真空(壓力)系統管路中的介質流。應用于真空、乳制品、酒業、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領域。適用范圍：0.1×106～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-06-11
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