光學平臺產品及廠家
美nano-master 熱真空太空模擬系統 ndt-4000,是一款器件測試系統，俗稱“熱真空系統”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環條件下的器件或樣片測試。
更新時間:2025-06-16
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨立式全自動rtp系統nrt-4000 獨立式全自動rtp系統nrt-4000 獨立式大批量rtp系統nir-4000 獨立式 ibe / rie 雙刻蝕系統nie-3000 臺式 ibe 刻蝕系統nsc-3000可支持多4個靶的dc濺射或rf濺射
更新時間:2025-06-16
美nano-master swc單晶圓清洗系統swc-3000 臺式單晶圓/掩膜版清洗系統swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統swc-5000 帶25片cassette 機械手自動清洗nrt-4000 獨
更新時間:2025-06-16
美nano-master 大基片清洗機 large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨立式清洗機，使用計算機控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時間:2025-06-16
韓國ecopia 全自動變溫霍爾效應測試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時間:2025-06-16
英國quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機，是一款優化設計的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設備，真空度可達5x10-5mbar。可以濺射具有超細成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無定形碳膜。
更新時間:2025-06-16
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產的半導體和太陽能行業用光刻機，目得到業界的廣泛認同，該系列光刻機曝光系統的曝光燈，主要是由德國歐司朗及日本牛尾公司生產的曝光燈進行配套供應。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩定的光強度以及優質的品質受到業界的青睞。
更新時間:2025-06-16
adlema先進的檢漏機bt4000技 術 規 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時間:2025-06-16
美國kla insem ht原位高溫納米力學測試系統，納米壓痕儀，樣品加溫可達800 ℃，樣品尺寸可達10mm，裝樣系統與真空環境兼容
更新時間:2025-06-16
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術微波等離子化學氣相沉積系統，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽為半導體終材料。
更新時間:2025-06-16
德國yxlon多用途高分辨率ct系統ff35 ct,微焦點、納米焦點雙射線 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置，可大限度提高 ct 應用 多功能性
更新時間:2025-06-16
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統，通過全方位的設計優化，實現更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節能。
更新時間:2025-06-16
nanoarch p130是科研3d打印系統，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。
更新時間:2025-06-16
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-06-16
30型uv光源是高效的，可用于各種應用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當的燈（包括）。輸出功率范圍從200瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠程排氣風扇。
更新時間:2025-06-16
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準器，采用經過行業驗證的組件，使oai成為光刻設備行業的導者。 200型是臺式面罩對準器，需要小的潔凈室空間。它為研發，或有限規模，試點生產提供了經濟的替代方案。利用創新的空氣軸承/真空吸盤調平系統，襯底快速平穩地平整，用于平行光掩模對準和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統能夠實現一微米分辨率和對準精度。
更新時間:2025-06-16
2012sm型自動邊緣曝光系統為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-06-16
2012sm型自動邊緣曝光系統為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-06-16
兩種型號的2000型曝光系統包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統。 uv光源提供發散半角<2.0％的可調強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監控。機器人襯底處理系統是微處理器控制的，并且可以被編程以適應各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-06-16
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環境中觀察。
更新時間:2025-06-16
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-06-16
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統的各種束縛。
更新時間:2025-06-16
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現不同功能之間的切換。
更新時間:2025-06-16
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統，是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。mdpmap能夠連續地改變激發脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩態測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規測量以及復雜的研發應用。
更新時間:2025-06-16
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規測量需要。
更新時間:2025-06-16
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-06-16
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-06-16
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數字掩模，像素數 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-06-16
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數字掩模，像素數 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2025-06-16
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-06-16
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-06-16
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-06-16
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-06-16
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-06-16
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-06-16
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-06-16
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-06-16
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-06-16
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-06-16
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-06-16
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-06-16
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-06-16
牛津opal開放式樣品載入ald設備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統，opal提供了業的熱ald設備，可以簡單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-06-16
最新產品
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- 瑞士ABB控制板 2025/6/16 17:12:19
- 瑞士ABB控制板 2025/6/16 17:12:08
- 瑞士ABB控制板 2025/6/16 17:11:56
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